NKAL10JB10R0 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NKAL10JB10R0, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NKAL10JB10R0 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NKAL10JB10R0 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NKAL10JB10R0
- Part Number:
- NKAL10JB10R0
- Producent:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Opis:
- RES CHAS MNT 10 OHM 5% 12.5W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31069 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NKAL10JB10R0.pdf2.NKAL10JB10R0.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±30ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.748" L x 0.799" W (19.00mm x 20.30mm) |
| Seria: | KAL |
| Tryb panel: | 10 Ohms |
| Moc (W): | 12.5W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Axial, Box |
| Inne nazwy: | NKAL 10 10 5% B NKAL10105%B NKAL10105%B-ND NKAL1010JB NKAL1010JB-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 275°C |
| element mocowania: | Flanges |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Lead Style: | Solder Lugs |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.421" (10.70mm) |
| cechy: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 10 Ohms ±5% 12.5W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Okładziny, Typ obudowy: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NKAL10JB10R0
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash