NCV7708BDWR2G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NCV7708BDWR2G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NCV7708BDWR2G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NCV7708BDWR2G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NCV7708BDWR2G
- Part Number:
- NCV7708BDWR2G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC DRIVER HALF BRIDGE HEX 28SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43857 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.NCV7708BDWR2G.pdf2.NCV7708BDWR2G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Obciążenie: | 5.5 V ~ 28 V |
| Technologia: | Power MOSFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-SOIC |
| Seria: | - |
| Rds On (Typ): | 800 Ohm LS, 800 Ohm HS |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Konfiguracja wyjściowa: | Half Bridge (6) |
| Inne nazwy: | NCV7708BDWR2G-ND NCV7708BDWR2GOSTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ obciążenia: | Inductive |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | SPI |
| cechy: | - |
| Ochrona usterek: | Current Limiting, Over Temperature, Over Voltage, UVLO |
| szczegółowy opis: | Half Bridge (6) Driver DC Motors, General Purpose Power MOSFET 28-SOIC |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 1A |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 500mA |
| Podstawowy numer części: | NCV7708B |
| Aplikacje: | DC Motors, General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NCV7708BDWR2G
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego