NCV4264-2CST50T3G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NCV4264-2CST50T3G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NCV4264-2CST50T3G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NCV4264-2CST50T3G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NCV4264-2CST50T3G
- Part Number:
- NCV4264-2CST50T3G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC REG LINEAR 5V 100MA SOT223
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22533 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NCV4264-2CST50T3G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Spadek napięcia (Max): | 0.5V @ 100mA |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 5V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 45V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-223 (TO-261) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Funkcje ochronne: | Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
| PSRR: | 67dB (100Hz) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | NCV4264-2CST50T3G-ND NCV4264-2CST50T3GOSTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C |
| Ilość Regulatorów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 39 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 5V 100mA SOT-223 (TO-261) |
| Obecny - Dostawa (Max): | 70µA |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 55µA |
| Obecny - Wyjście: | 100mA |
| Funkcje sterowania: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NCV4264-2CST50T3G
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia