NBPMLNS005PGUNV jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NBPMLNS005PGUNV, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NBPMLNS005PGUNV przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NBPMLNS005PGUNV z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NBPMLNS005PGUNV
- Part Number:
- NBPMLNS005PGUNV
- Opis:
- BRD MNT PRESSURE SENSORS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32476 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.8 V ~ 12 V |
| Termination Style: | Surface Mount |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | NBP |
| Pressure Type: | Vented Gauge |
| Styl portów: | Barbless |
| Port Rozmiar: | Male - 0.13" (3.18mm) Tube |
| Package / Case: | 4-SMD, J-Lead, Top Port |
| Typ wyjścia: | Wheatstone Bridge |
| Wydajność: | 0 mV ~ 75 mV (5V) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ciśnienie robocze: | 5 PSI (34.47 kPa) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalne ciśnienie: | 30 PSI (206.84 kPa) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor 5 PSI (34.47 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 75 mV (5V) 4-SMD, J-Lead, Top Port |
| Precyzja: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NBPMLNS005PGUNV
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025