Το NBPMLNS005PGUNV είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την NBPMLNS005PGUNV, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το NBPMLNS005PGUNV μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε NBPMLNS005PGUNV με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
NBPMLNS005PGUNV
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NBPMLNS005PGUNV
- Κατασκευαστής:
- Honeywell Sensing and Productivity Solutions
- Περιγραφή:
- BRD MNT PRESSURE SENSORS
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 32476 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.NBPMLNS005PGUNV.pdf2.NBPMLNS005PGUNV.pdf3.NBPMLNS005PGUNV.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.8 V ~ 12 V |
| Στυλ λήξης: | Surface Mount |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Σειρά: | NBP |
| Τύπος πίεσης: | Vented Gauge |
| Στυλ θύρας: | Barbless |
| Port Μέγεθος: | Male - 0.13" (3.18mm) Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 4-SMD, J-Lead, Top Port |
| Τύπος εξόδου: | Wheatstone Bridge |
| Παραγωγή: | 0 mV ~ 75 mV (5V) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Πίεση λειτουργίας: | 5 PSI (34.47 kPa) |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Μέγιστη πίεση: | 30 PSI (206.84 kPa) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pressure Sensor 5 PSI (34.47 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 75 mV (5V) 4-SMD, J-Lead, Top Port |
| Ακρίβεια: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NBPMLNS005PGUNV
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο