NB7NPQ7021MMUTXG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla NB7NPQ7021MMUTXG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla NB7NPQ7021MMUTXG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup NB7NPQ7021MMUTXG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
NB7NPQ7021MMUTXG
- Part Number:
- NB7NPQ7021MMUTXG
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DUAL CHANNEL USB 3.0/3.1
- Wielkość zbiorów:
- 50771 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- NB7NPQ7021MMUTXG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Rodzaj: | Buffer, ReDriver |
| Kondycjonowanie sygnałów: | Input Equalization, Output De-Emphasis |
| Seria: | - |
| Wydajność: | Differential |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Wkład: | Differential |
| szczegółowy opis: | Buffer, ReDriver 2 Channel 10Gbps |
| Czas zwłoki: | 110ps |
| Szybkość transmisji danych (maks.): | 10Gbps |
| Obecny - Dostawa: | 130mA |
| Pojemność - Wejście: | 1.25pF |
| Aplikacje: | USB |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NB7NPQ7021MMUTXG
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED