MXO45HST-2C-29M4912 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MXO45HST-2C-29M4912, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MXO45HST-2C-29M4912 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MXO45HST-2C-29M4912 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MXO45HST-2C-29M4912
- Part Number:
- MXO45HST-2C-29M4912
- Producent:
- CTS Electronic Components
- Opis:
- OSC XO 29.4912MHZ HCMOS TTL PIN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29762 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MXO45HST-2C-29M4912.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 5V |
| Rodzaj: | XO (Standard) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.520" L x 0.520" W (13.20mm x 13.20mm) |
| Seria: | MXO45HXT |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 8-DIP, 4 Leads (Half Size, Metal Can) |
| Wydajność: | HCMOS, TTL |
| Inne nazwy: | MXO45HST-2C-29.4912MHZ |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 70°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości: | ±100ppm |
| Częstotliwość: | 29.4912MHz |
| szczegółowy opis: | 29.4912MHz XO (Standard) HCMOS, TTL Oscillator 5V Enable/Disable 8-DIP, 4 Leads (Half Size, Metal Can) |
| Obecny - Dostawa (Max): | 40mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 10µA |
| Rezonator bazowy: | Crystal |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MXO45HST-2C-29M4912
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia