MX0912B351Y,114 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MX0912B351Y,114, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MX0912B351Y,114 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MX0912B351Y,114 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MX0912B351Y,114
- Part Number:
- MX0912B351Y,114
- Producent:
- Ampleon
- Opis:
- TRANSISTOR POWER NPN SOT439A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58864 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MX0912B351Y,114.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 20V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | CDFM2 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 960W |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | SOT-439A |
| Inne nazwy: | 934033550114 MX0912B351Y TRAY MX0912B351Y TRAY-ND |
| temperatura robocza: | 200°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 7.6dB |
| Częstotliwość - Transition: | 1.215GHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 20V 21A 1.215GHz 960W Surface Mount CDFM2 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 21A |
| Podstawowy numer części: | MX0912 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MX0912B351Y,114
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM