MURT10040 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MURT10040, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MURT10040 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MURT10040 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MURT10040
- Part Number:
- MURT10040
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31169 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.MURT10040.pdf2.MURT10040.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.35V @ 50A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 400V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Three Tower |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 90ns |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Three Tower |
| Inne nazwy: | MURT10040GN |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | - |
| szczegółowy opis: | Diode Array Standard 400V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MURT10040
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego