MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E
- Part Number:
- MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
- Wielkość zbiorów:
- 28399 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.1V |
| Technologia: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Seria: | - |
| Inne nazwy: | MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E-ND MT53D512M64D4BP-046WTES:E |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 32Gb (512M x 64) |
| Interfejs pamięci: | - |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy: | Lead free |
| szczegółowy opis: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz |
| Częstotliwość zegara: | 1866MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego