MT47H128M16PK-25E IT:C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT47H128M16PK-25E IT:C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT47H128M16PK-25E IT:C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT47H128M16PK-25E IT:C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT47H128M16PK-25E IT:C
- Part Number:
- MT47H128M16PK-25E IT:C
- Producent:
- Alliance Memory, Inc.
- Opis:
- IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 28777 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT47H128M16PK-25E IT:C.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 84-FBGA (9x12.5) |
| standardy: | Volatile |
| Oprogramowanie: | 2Gb (128M x 16) |
| Shell Style: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tray |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 400MHz |
| Polaryzacja: | 84-TFBGA |
| Izolacja wyjście: | DRAM |
| Inne nazwy: | 1450-1342 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 1 Weeks |
| Numer części producenta: | MT47H128M16PK-25E IT:C |
| Berło: | Parallel |
| Opis: | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT47H128M16PK-25E IT:C
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM