MT41J256M8JE-187E:A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT41J256M8JE-187E:A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT41J256M8JE-187E:A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT41J256M8JE-187E:A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT41J256M8JE-187E:A
- Part Number:
- MT41J256M8JE-187E:A
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35960 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT41J256M8JE-187E:A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Technologia: | SDRAM - DDR3 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 82-FBGA (12.5x15.5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 82-FBGA |
| Inne nazwy: | Q4329252 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 2Gb (256M x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 533MHz 13.125ns 82-FBGA (12.5x15.5) |
| Częstotliwość zegara: | 533MHz |
| Podstawowy numer części: | MT41J256M8 |
| Czas dostępu: | 13.125ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT41J256M8JE-187E:A
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił