MT40A512M16LY-075:E TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT40A512M16LY-075:E TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT40A512M16LY-075:E TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT40A512M16LY-075:E TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT40A512M16LY-075:E TR
- Part Number:
- MT40A512M16LY-075:E TR
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30848 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT40A512M16LY-075:E TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Technologia: | SDRAM - DDR4 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Inne nazwy: | MT40A512M16LY-075:E TR-ND MT40A512M16LY-075:ETR |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 8Gb (512M x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 1.33GHz |
| Częstotliwość zegara: | 1.33GHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT40A512M16LY-075:E TR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS