MT3S113P(TE12L,F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT3S113P(TE12L,F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT3S113P(TE12L,F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT3S113P(TE12L,F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT3S113P(TE12L,F)
- Part Number:
- MT3S113P(TE12L,F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46655 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT3S113P(TE12L,F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 5.3V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PW-MINI |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1.6W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-243AA |
| Inne nazwy: | MT3S113P(TE12LF) MT3S113P(TE12LF)TR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 1.45dB @ 1GHz |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 10.5dB |
| Częstotliwość - Transition: | 7.7GHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 30mA, 5V |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT3S113P(TE12L,F)
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC