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MT3S113P(TE12L,F)
- Artikelnummer:
- MT3S113P(TE12L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 46655 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MT3S113P(TE12L,F).pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 5.3V |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | PW-MINI |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1.6W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
| Andere Namen: | MT3S113P(TE12LF) MT3S113P(TE12LF)TR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Rauschzahl (dB Typ @ f): | 1.45dB @ 1GHz |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gewinnen: | 10.5dB |
| Frequenz - Übergang: | 7.7GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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