MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Part Number:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Producent:
Micron Technology
Opis:
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Status bezołowiowy:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Wielkość zbiorów:
28580 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Czas oczekiwania:
4-8 weeks
Arkusz danych:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR.pdf

Wprowadzenie

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New & Original, tested
Kraj pochodzenia Contact us
Oznaczenie kodu Send by email
Zapisać czas cyklu - słowo, strona:-
Napięcie - Dostawa:1.8V
Technologia:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Seria:-
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Inne nazwy:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR-ND
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80ETR
temperatura robocza:-25°C ~ 85°C (TA)
Poziom czułości na wilgoć (MSL):3 (168 Hours)
Typ pamięci:Non-Volatile
Rozmiar pamięci:4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Interfejs pamięci:Parallel
Format pamięci:FLASH, RAM
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
szczegółowy opis:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
Częstotliwość zegara:533MHz
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze