MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
- Part Number:
- MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
- Wielkość zbiorów:
- 23961 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologia: | FLASH - NAND |
| Seria: | - |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH |
| szczegółowy opis: | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia