MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
- Part Number:
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21196 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologia: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 137-TFBGA (10.5x13) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 137-TFBGA |
| Inne nazwy: | MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR-ND MT29C4G96MAZBACKD-5WTTR |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | FLASH, RAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-TFBGA (10.5x13) |
| Częstotliwość zegara: | 200MHz |
| Podstawowy numer części: | MT29C4G96M |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia