MS 21X14X4.5 W jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MS 21X14X4.5 W, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MS 21X14X4.5 W przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MS 21X14X4.5 W z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MS 21X14X4.5 W
- Part Number:
- MS 21X14X4.5 W
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- FERRITE CORE SOLID 12.8MM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39736 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MS 21X14X4.5 W.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Round |
| Seria: | MS |
| oceny: | - |
| Wymiar zewnętrzny: | 0.898" Dia (22.80mm) |
| Inne nazwy: | MS 21X14X4.5 W-ND MS21X14X4.5W MS21X14X45W MS21X14X45W-ND |
| Rodzaj mocowania: | Free Hanging |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Długość: | 0.260" (6.60mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wymiar wewnętrzny: | 0.504" Dia (12.80mm) |
| Impedancja @ Częstotliwość: | - |
| szczegółowy opis: | Solid Free Hanging Ferrite Core ID 0.504" Dia (12.80mm) OD 0.898" Dia (22.80mm) Length 0.260" (6.60mm) |
| Projekt: | Solid |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MS 21X14X4.5 W
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS