MRF7S21170HS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MRF7S21170HS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MRF7S21170HS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MRF7S21170HS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MRF7S21170HS
- Part Number:
- MRF7S21170HS
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45946 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MRF7S21170HS.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Napięcie - Wyjście: | 50W |
| Napięcie - Podział: | NI-880S |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | NI-880S |
| noise Figure: | 28V |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | MRF7S21170HS |
| Częstotliwość: | 2.17GHz |
| Rodzaj FET: | 16dB |
| Rozszerzony opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 16dB 50W NI-880S |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 1.4A |
| Opis: | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Test: | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | LDMOS |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MRF7S21170HS
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen