MRF6S9160HSR3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MRF6S9160HSR3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MRF6S9160HSR3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MRF6S9160HSR3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MRF6S9160HSR3
- Part Number:
- MRF6S9160HSR3
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- FET RF 68V 880MHZ NI-780S
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54900 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MRF6S9160HSR3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 68V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | NI-780S |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 35W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | NI-780S |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 20.9dB |
| Częstotliwość: | 880MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 880MHz 20.9dB 35W NI-780S |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Test: | 1.2A |
| Podstawowy numer części: | MRF6S9160 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MRF6S9160HSR3
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM