MRF085HR3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MRF085HR3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MRF085HR3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MRF085HR3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MRF085HR3
- Part Number:
- MRF085HR3
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
- Wielkość zbiorów:
- 38417 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MRF085HR3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 50V |
| Napięcie - znamionowe: | 133V |
| Typ tranzystora: | LDMOS (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | NI-650H-4L |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 85W |
| Package / Case: | NI-650H-4L |
| Inne nazwy: | 935351494128 |
| noise Figure: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Zdobyć: | 25.6dB |
| Częstotliwość: | 1.8MHz ~ 1.215GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 1.8MHz ~ 1.215GHz 25.6dB 85W NI-650H-4L |
| Aktualna ocena: | 2µA |
| Obecny - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MRF085HR3
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU