MR751G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MR751G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MR751G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MR751G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MR751G
- Part Number:
- MR751G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE GP 100V 6A MICRODE BUTTON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53117 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MR751G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 6A |
| Napięcie - Podział: | Microde Button |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | - |
| Polaryzacja: | Button, Axial |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | MR751G |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 100V 6A Through Hole Microde Button |
| Diode Configuration: | 25µA @ 100V |
| Opis: | DIODE GP 100V 6A MICRODE BUTTON |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 900mV @ 6A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100V |
| Pojemność @ VR F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MR751G
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS