MPM10016001AT1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MPM10016001AT1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MPM10016001AT1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MPM10016001AT1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MPM10016001AT1
- Part Number:
- MPM10016001AT1
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 32013 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MPM10016001AT1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±25ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.113" L x 0.051" W (2.86mm x 1.30mm) |
| Seria: | MPM |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±2 ppm/°C |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | ±0.05% |
| Oporność (Ohm): | 1k, 6k |
| Moc na element: | 100mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 2 |
| Ilość Pins: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.040" (1.02mm) |
| szczegółowy opis: | 1k, 6k Ohm ±0.1% 100mW Power Per Element Voltage Divider 2 Resistor Network/Array ±25ppm/°C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Rodzaj obwodu: | Voltage Divider |
| Aplikacje: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MPM10016001AT1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia