MMSD4148T3G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MMSD4148T3G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MMSD4148T3G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MMSD4148T3G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MMSD4148T3G
- Part Number:
- MMSD4148T3G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20682 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MMSD4148T3G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 200mA (DC) |
| Napięcie - Podział: | SOD-123 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Odporność @ Jeżeli F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Polaryzacja: | SOD-123 |
| Inne nazwy: | MMSD4148T3G-ND MMSD4148T3GOSTR |
| Temperatura pracy - złącze: | 4ns |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Numer części producenta: | MMSD4148T3G |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOD-123 |
| Diode Configuration: | 5µA @ 75V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1V @ 10mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MMSD4148T3G
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia