MMBV3102LT1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MMBV3102LT1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MMBV3102LT1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MMBV3102LT1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MMBV3102LT1
- Part Number:
- MMBV3102LT1
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE TUNING SS 30V SOT23
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 24819 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MMBV3102LT1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Seria: | - |
| P @ Vr, F: | 200 @ 3V, 50MHz |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | MMBV3102LT1OSCT |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Single |
| szczegółowy opis: | Varactor Single 30V Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Stosunek pojemności Warunek: | C3/C25 |
| Stosunek pojemności: | 4.8 |
| Pojemność @ VR F: | 25pF @ 3V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | MMBV3102 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MMBV3102LT1
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS