MMBT3904VL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MMBT3904VL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MMBT3904VL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MMBT3904VL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MMBT3904VL
- Part Number:
- MMBT3904VL
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- MMBT3904/SOT23/TO-236AB
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29269 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MMBT3904VL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 40V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-236AB |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | 933864360235 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 300MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz Surface Mount TO-236AB |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 10mA, 1V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 50nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MMBT3904VL
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen