MMBFJ309LT1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MMBFJ309LT1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MMBFJ309LT1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MMBFJ309LT1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MMBFJ309LT1
- Part Number:
- MMBFJ309LT1
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- JFET N-CH 25V 30MA SOT23
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 25706 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MMBFJ309LT1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-Channel JFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | MMBFJ309LT1OSCT |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Zdobyć: | - |
| Częstotliwość: | - |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel JFET SOT-23-3 (TO-236) |
| Aktualna ocena: | 30mA |
| Podstawowy numer części: | MMBFJ309 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MMBFJ309LT1
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED