MMBFJ177LT1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MMBFJ177LT1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MMBFJ177LT1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MMBFJ177LT1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MMBFJ177LT1
- Part Number:
- MMBFJ177LT1
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 33905 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MMBFJ177LT1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id: | 800mV @ 10nA |
| Napięcie - Podział (V (BR) GSS): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Seria: | - |
| Resistance - RDS (on): | 300 Ohms |
| Moc - Max: | 225mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | MMBFJ177LT1OSCT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 11pF @ 10V (VGS) |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| szczegółowy opis: | JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0): | 1.5mA @ 15V |
| Podstawowy numer części: | MBFJ177 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MMBFJ177LT1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen