MLSG113M020JB0C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MLSG113M020JB0C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MLSG113M020JB0C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MLSG113M020JB0C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MLSG113M020JB0C
- Part Number:
- MLSG113M020JB0C
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP ALUM 11000UF 20% 20V FLATPCK
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 36853 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MLSG113M020JB0C.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 20V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 3.000" L x 1.000" W (76.20mm x 25.40mm) |
| Seria: | MLSG Slimpack |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 15.2A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 15.6A @ 20kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Bi-Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | FlatPack |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 5000 Hrs @ 125°C |
| Główny odstęp: | 0.500" (12.70mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.500" (12.70mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 42 mOhm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 11000µF 20V Aluminum Electrolytic Capacitors FlatPack 42 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 125°C |
| Pojemność: | 11000µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MLSG113M020JB0C
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia