MK64FX512VDC12 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MK64FX512VDC12, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MK64FX512VDC12 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MK64FX512VDC12 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MK64FX512VDC12
- Part Number:
- MK64FX512VDC12
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 32BIT 512KB FLASH 121BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26295 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MK64FX512VDC12.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.71 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 121-MAPBGA (8x8) |
| Prędkość: | 120MHz |
| Seria: | Kinetis K60 |
| Wielkość pamięci RAM: | 192K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 512KB (512K x 8) |
| Peryferia: | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 121-XFBGA |
| Inne nazwy: | 935323475557 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba I / O: | 86 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | 4K x 8 |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M4 Kinetis K60 Microcontroller IC 32-Bit 120MHz 512KB (512K x 8) FLASH 121-MAPBGA (8x8) |
| Konwertery danych: | A/D 37x16b, D/A 2x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M4 |
| Łączność: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MK64FX512VDC12
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia