MF200DU06FJ-BP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MF200DU06FJ-BP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MF200DU06FJ-BP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MF200DU06FJ-BP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MF200DU06FJ-BP
- Part Number:
- MF200DU06FJ-BP
- Producent:
- Micro Commercial Components (MCC)
- Opis:
- DIODE FRED 600V 100A FJ SOT227
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53384 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MF200DU06FJ-BP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.4V @ 100A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | FJ/SOT-227 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 105ns |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Inne nazwy: | MF200DU06FJ-BPMS |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 2 Independent |
| szczegółowy opis: | Diode Array 2 Independent Standard 600V 100A Chassis Mount SOT-227-4 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MF200DU06FJ-BP
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił