MCZ33399EF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MCZ33399EF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MCZ33399EF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MCZ33399EF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MCZ33399EF
- Part Number:
- MCZ33399EF
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC LIN INTERFACE W/WAKE 8-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39017 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MCZ33399EF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 8-SOIC |
| Rodzaj: | Transceiver |
| Shell Style: | 7 V ~ 18 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Histereza odbiornika: | Half |
| Polaryzacja: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Mistrz fclk: | LIN |
| Numer części producenta: | MCZ33399EF |
| Częstotliwość - Odcięcie lub Centrum: | 1.0Kbps |
| Rozszerzony opis: | 1/1 Transceiver Half LIN 8-SOIC |
| Dupleks: | 1/1 |
| Opis: | IC LIN INTERFACE W/WAKE 8-SOIC |
| Szybkość przesyłania danych: | 550mV |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MCZ33399EF
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM