MCIMX6L3DVN10AB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MCIMX6L3DVN10AB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MCIMX6L3DVN10AB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MCIMX6L3DVN10AB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MCIMX6L3DVN10AB
- Part Number:
- MCIMX6L3DVN10AB
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MPU I.MX6SL 1.0GHZ 432MAPBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41173 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - I / O: | 1.2V, 1.8V, 3.0V |
| USB: | USB 2.0 + PHY (3) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 432-MAPBGA (13x13) |
| Prędkość: | 1.0GHz |
| Seria: | i.MX6SL |
| Funkcjonalność związana z bezpieczeństwem: | ARM TZ, Boot Security, Cryptography, RTIC, Secure Fusebox, Secure JTAG, Secure Memory, Secure RTC, Tamper Detection |
| SATA: | - |
| Kontrolery pamięci RAM: | LPDDR2, LVDDR3, DDR3 |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 432-TFBGA |
| Inne nazwy: | 935323421557 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 95°C (TJ) |
| Liczba szerokości rdzeni / magistrali: | 1 Core, 32-Bit |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Akceleracja grafiki: | Yes |
| Ethernet: | 10/100 Mbps (1) |
| Kontrolery wyświetlania i interfejsu: | Keypad, LCD |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-A9 Microprocessor IC i.MX6SL 1 Core, 32-Bit 1.0GHz 432-MAPBGA (13x13) |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-A9 |
| Współtwórcy / DSP: | Multimedia; NEON™ SIMD |
| Podstawowy numer części: | MCIMX6 |
| Dodatkowe interfejsy: | AC97, I²C, I²S, MMC/SD/SDIO, SPI, SSI, UART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MCIMX6L3DVN10AB
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia