MCIMX535DVV2C2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MCIMX535DVV2C2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MCIMX535DVV2C2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MCIMX535DVV2C2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MCIMX535DVV2C2
- Part Number:
- MCIMX535DVV2C2
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MPU I.MX53 1.2GHZ 529TEBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35481 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - I / O: | 1.3V, 1.8V, 2.775V, 3.3V |
| USB: | USB 2.0 (2), USB 2.0 + PHY (2) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 529-FBGA (19x19) |
| Prędkość: | 1.2GHz |
| Seria: | i.MX53 |
| Funkcjonalność związana z bezpieczeństwem: | ARM TZ, Boot Security, Cryptography, RTIC, Secure Fusebox, Secure JTAG, Secure Memory, Secure RTC, Tamper Detection |
| SATA: | SATA 1.5Gbps (1) |
| Kontrolery pamięci RAM: | LPDDR2, DDR2, DDR3 |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 529-FBGA |
| Inne nazwy: | 935323583557 |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C (TC) |
| Liczba szerokości rdzeni / magistrali: | 1 Core, 32-Bit |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Akceleracja grafiki: | Yes |
| Ethernet: | 10/100 Mbps (1) |
| Kontrolery wyświetlania i interfejsu: | Keypad, LCD |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-A8 Microprocessor IC i.MX53 1 Core, 32-Bit 1.2GHz 529-FBGA (19x19) |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-A8 |
| Współtwórcy / DSP: | Multimedia; NEON™ SIMD |
| Dodatkowe interfejsy: | 1-Wire, AC'97, CAN, I²C, I²S, MMC/SD, SAI, SPI, SSI, UART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MCIMX535DVV2C2
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia