MBRT200150R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MBRT200150R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MBRT200150R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MBRT200150R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MBRT200150R
- Part Number:
- MBRT200150R
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55312 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MBRT200150R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1 Pair Common Anode |
| Napięcie - Podział: | Three Tower |
| Prędkość: | 100A |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polaryzacja: | Three Tower |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Numer części producenta: | MBRT200150R |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Diode Configuration: | 1mA @ 150V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 880mV @ 100A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 150V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MBRT200150R
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM