MBR2045CTI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MBR2045CTI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MBR2045CTI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MBR2045CTI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MBR2045CTI
- Part Number:
- MBR2045CTI
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO251
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36866 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MBR2045CTI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1 Pair Common Cathode |
| Napięcie - Podział: | TO-251 |
| Prędkość: | 10A |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polaryzacja: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Inne nazwy: | MBR2045CTIDI |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Numer części producenta: | MBR2045CTI |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 10A Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Diode Configuration: | 100µA @ 45V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO251 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 800mV @ 20A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 45V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MBR2045CTI
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił