MB85RS1MTPH-G-JNE1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MB85RS1MTPH-G-JNE1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MB85RS1MTPH-G-JNE1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MB85RS1MTPH-G-JNE1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MB85RS1MTPH-G-JNE1
- Part Number:
- MB85RS1MTPH-G-JNE1
- Producent:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Opis:
- IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP
- Wielkość zbiorów:
- 29103 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MB85RS1MTPH-G-JNE1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DIP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | 865-1276 865-1276-1 865-1276-1-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Mb (128K x 8) |
| Interfejs pamięci: | SPI |
| Format pamięci: | FRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| szczegółowy opis: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 8-DIP |
| Częstotliwość zegara: | 40MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MB85RS1MTPH-G-JNE1
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen