MAX14435FAWE+T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MAX14435FAWE+T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MAX14435FAWE+T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MAX14435FAWE+T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MAX14435FAWE+T
- Part Number:
- MAX14435FAWE+T
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- 4-CHANNEL, LOW POWER, 5KV DIGITA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25268 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MAX14435FAWE+T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.71 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Izolacja: | 5000Vrms |
| Rodzaj: | General Purpose |
| Technologia: | Capacitive Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 1.6ns (Max), 1.4ns (Max) |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | 2ns |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 9.4ns, 9.2ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | MAX14435FAWE+T-ND MAX14435FAWE+TTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojedyncze Moc: | No |
| Wejścia - Side 1 / Side 2: | 2/2 |
| szczegółowy opis: | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 200Mbps 50kV/µs (Typ) CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Szybkość przesyłania danych: | 200Mbps |
| Współczynnik przejściowy (min): | 50kV/µs (Typ) |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MAX14435FAWE+T
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia