M55342K11B1E00RS3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M55342K11B1E00RS3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M55342K11B1E00RS3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M55342K11B1E00RS3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M55342K11B1E00RS3
- Part Number:
- M55342K11B1E00RS3
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES SMD 1K OHM 1% 1/20W 0402
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 48385 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M55342K11B1E00RS3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0402 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.040" L x 0.025" W (1.02mm x 0.64mm) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-55342, RM0402 |
| Tryb panel: | 1 kOhms |
| Moc (W): | 0.05W, 1/20W |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | 1135-1063-6 1135-1063-6-MIL |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 19 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| cechy: | Military |
| Współczynnik awaryjności: | R (0.01%) |
| szczegółowy opis: | 1 kOhms ±1% 0.05W, 1/20W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Military Thick Film |
| Kompozycja: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M55342K11B1E00RS3
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił