M55342E09B511BRWI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M55342E09B511BRWI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M55342E09B511BRWI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M55342E09B511BRWI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M55342E09B511BRWI
- Part Number:
- M55342E09B511BRWI
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES SMD 511K OHM 0.1% 1W 2512
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 46733 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M55342E09B511BRWI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | R (0.01%) |
| Napięcie - Working: | 1W |
| Napięcie - Podział: | 2512 |
| Grubość (maks): | ±25ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.259" L x 0.124" W (6.58mm x 3.15mm) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-55342, RM2512 |
| Stan RoHS: | Tray - Waffle |
| Polaryzacja: | 2512 (6432 Metric) |
| Inne nazwy: | M55342E09B511BRWI-MIL |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Numer części producenta: | M55342E09B511BRWI |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| cechy: | Military, Non-Inductive |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 511k Ohm ±0.1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.1% |
| Opis: | RES SMD 511K OHM 0.1% 1W 2512 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Thin Film |
| Pasmo: | 511k |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M55342E09B511BRWI
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS