M25PE40-VMN3TPB TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M25PE40-VMN3TPB TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M25PE40-VMN3TPB TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M25PE40-VMN3TPB TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M25PE40-VMN3TPB TR
- Part Number:
- M25PE40-VMN3TPB TR
- Producent:
- Micron Technology
- Opis:
- IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47149 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M25PE40-VMN3TPB TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 15ms, 3ms |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | FLASH - NOR |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | M25PE40-VMN3TPB TR-ND M25PE40-VMN3TPBTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 4Mb (512K x 8) |
| Interfejs pamięci: | SPI |
| Format pamięci: | FLASH |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH - NOR Memory IC 4Mb (512K x 8) SPI 75MHz 8-SO |
| Częstotliwość zegara: | 75MHz |
| Podstawowy numer części: | M25PE40 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M25PE40-VMN3TPB TR
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen