M1A3PE3000-1FG484I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla M1A3PE3000-1FG484I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla M1A3PE3000-1FG484I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup M1A3PE3000-1FG484I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
M1A3PE3000-1FG484I
- Part Number:
- M1A3PE3000-1FG484I
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- IC FPGA 341 I/O 484FBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 24034 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- M1A3PE3000-1FG484I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 516096 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 484-FPBGA (23x23) |
| Seria: | ProASIC3E |
| Package / Case: | 484-BGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Liczba I / O: | 341 |
| Ilość Gates: | 3000000 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Podstawowy numer części: | M1A3PE3000 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do M1A3PE3000-1FG484I
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku