LTC2314CTS8-14#TRMPBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LTC2314CTS8-14#TRMPBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LTC2314CTS8-14#TRMPBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LTC2314CTS8-14#TRMPBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LTC2314CTS8-14#TRMPBF
- Part Number:
- LTC2314CTS8-14#TRMPBF
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC ADC 14BIT 4.5MSPS TSOT23-8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23704 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LTC2314CTS8-14#TRMPBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa Digital: | 2.7 V ~ 3.6 V, 5V |
| Napięcie - Dostawa, analogowe: | 2.7 V ~ 3.6 V, 5V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TSOT-23-8 |
| Seria: | - |
| Sampling rate (Per Second): | 4.5M |
| Typ referencyjny: | Internal |
| Stosunek - S / H: ADC: | 1:1 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 |
| Inne nazwy: | LTC2314CTS8-14#TRMPBFTR LTC2314CTS814TRMPBF |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba wejść: | 1 |
| Liczba bitów: | 14 |
| Liczba przetworników A / D: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Single Ended |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 14 Bit Analog to Digital Converter 1 Input 1 SAR TSOT-23-8 |
| Data Interface: | SPI |
| Konfiguracja: | S/H-ADC |
| Podstawowy numer części: | LTC2314 |
| Architektura: | SAR |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LTC2314CTS8-14#TRMPBF
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia