LT3571IUD#PBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LT3571IUD#PBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LT3571IUD#PBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LT3571IUD#PBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LT3571IUD#PBF
- Part Number:
- LT3571IUD#PBF
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC REG BOOST ADJ 0.37A 16QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57053 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LT3571IUD#PBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 2.7V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 75V (Switch) |
| Napięcie - Wejście (Min): | 2.7V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 20V |
| topologia: | Boost |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-QFN-EP (3x3) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-WFQFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | LT3571IUDPBF |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 250kHz ~ 2MHz |
| szczegółowy opis: | Boost Switching Regulator IC Positive Adjustable 2.7V 1 Output 370mA (Switch) 16-WFQFN Exposed Pad |
| Obecny - Wyjście: | 370mA (Switch) |
| Podstawowy numer części: | LT3571 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LT3571IUD#PBF
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia