LT3483IDC#TRMPBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LT3483IDC#TRMPBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LT3483IDC#TRMPBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LT3483IDC#TRMPBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LT3483IDC#TRMPBF
- Part Number:
- LT3483IDC#TRMPBF
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC REG MULT CONFIG INV ADJ 8DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21080 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LT3483IDC#TRMPBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | -2.5V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | -38V |
| Napięcie - Wejście (Min): | 2.5V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 16V |
| topologia: | Buck, Boost, Charge Pump, Flyback |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN (2x2) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Konfiguracja wyjściowa: | Negative |
| Inne nazwy: | LT3483IDC#TRMPBF-ND LT3483IDC#TRMPBFTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Up, Step-Down, Step-Up/Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | - |
| szczegółowy opis: | Buck, Boost, Charge Pump, Flyback Switching Regulator IC Negative Adjustable -2.5V 1 Output 170mA (Switch) 8-WFDFN Exposed Pad |
| Obecny - Wyjście: | 170mA (Switch) |
| Podstawowy numer części: | LT3483 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LT3483IDC#TRMPBF
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia