LT1168AIS8#PBF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LT1168AIS8#PBF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LT1168AIS8#PBF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LT1168AIS8#PBF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LT1168AIS8#PBF
- Part Number:
- LT1168AIS8#PBF
- Producent:
- Opis:
- IC OPAMP INSTR 400KHZ 8SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28272 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LT1168AIS8#PBF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | - |
| Napięcie - Wejście offset: | 40pA |
| Napięcie - Podział: | 8-SO |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Polaryzacja: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | - |
| Orientacja: | 1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba bitów / stages: | 15µV |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalna moc wyjściowa x Kanały @ obciążenia: | Instrumentation |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Numer części producenta: | LT1168AIS8#PBF |
| Rozszerzony opis: | Instrumentation Amplifier 1 Circuit 8-SO |
| Opis: | IC OPAMP INSTR 400KHZ 8SO |
| Obecny - Dostawa (Główny IC): | 4.6 V ~ 36 V, ±2.3 V ~ 18 V |
| Obecny - Dostawa: | 350µA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 400kHz |
| Kanały na IC: | 32mA |
| 3dB Pasmo: | 0.5 V/µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LT1168AIS8#PBF
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił