LQP03TN2N3B02D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LQP03TN2N3B02D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LQP03TN2N3B02D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LQP03TN2N3B02D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LQP03TN2N3B02D
- Part Number:
- LQP03TN2N3B02D
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 2.3NH 500MA 200 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53821 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 0201 (0603 Metric) |
| Stosowanie: | Unshielded |
| Rodzaj: | Thin Film |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Seria: | LQP03 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 0201 (0603 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-12967-2 LQP03TN2N3B02 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Numer części producenta: | LQP03TN2N3B02D |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.013" (0.33mm) |
| typ sprzętu: | 2.3nH |
| Częstotliwość - Test: | 10GHz |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 200 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 2.3nH Unshielded Thin Film Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.1nH |
| Średnica - ramię: | 14 @ 500MHz |
| Opis: | FIXED IND 2.3NH 500MA 200 MOHM |
| Czas zwłoki: | 500MHz |
| DC Resistance (DCR): | - |
| Aktualna ocena: | 500mA |
| Obecny - Nasycenie: | Non-Magnetic |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LQP03TN2N3B02D
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash