LQH66SNR27M03L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LQH66SNR27M03L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LQH66SNR27M03L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LQH66SNR27M03L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LQH66SNR27M03L
- Part Number:
- LQH66SNR27M03L
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 270NH 6A 7 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53758 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.LQH66SNR27M03L.pdf2.LQH66SNR27M03L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.248" L x 0.248" W (6.30mm x 6.30mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | LQH66 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 490-12782-2 LQH66SNR27M03L-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 80°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1MHz |
| Indukcyjność: | 270nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.197" (5.00mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 300MHz |
| szczegółowy opis: | 270nH Shielded Wirewound Inductor 6A 9.8 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 9.8 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 6A |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LQH66SNR27M03L
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash