LPC2364HBD100 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LPC2364HBD100, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LPC2364HBD100 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LPC2364HBD100 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LPC2364HBD100
- Part Number:
- LPC2364HBD100
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38379 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LPC2364HBD100.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | FLASH |
| Napięcie - Podział: | 100-LQFP (14x14) |
| Seria: | LPC2300 |
| Stan RoHS: | Tray |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 72MHz |
| wymaga: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| Typ pamięci programu: | 128KB (128K x 8) |
| Rozmiar pamięci programu: | CAN, Ethernet, I²C, Microwire, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB |
| Polaryzacja: | 100-LQFP |
| Typ oscylatora: | A/D 6x10b; D/A 1x10b |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| System operacyjny: | ARM7® |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | LPC2364HBD100 |
| Rozszerzony opis: | ARM7® LPC2300 Microcontroller IC 16/32-Bit 72MHz 128KB (128K x 8) FLASH 100-LQFP (14x14) |
| Opis: | IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP |
| Bajty danych SRAM: | - |
| Konwertery danych: | 3 V ~ 3.6 V |
| rdzeń Rozmiar: | 34K x 8 |
| Seria regulatorów: | Internal |
| Łączność: | 16/32-Bit |
| Częstotliwość zegara: | 70 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LPC2364HBD100
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia